掠入射XRD分析需要注意些什么?檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)有哪些?費(fèi)用是多少?百檢檢測(cè)可依據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗(yàn)方案。對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè)分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的檢測(cè)報(bào)告。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介

常規(guī)XRD采用的是X射線直射樣品，由于X射線的穿深較大，對(duì)有基底的薄膜樣品，薄膜的峰經(jīng)常被基底的峰掩蓋。掠入射采用與樣品近似平行的入射角度，使X射線僅照射在樣品表面，著重關(guān)注薄膜樣品的信號(hào)，規(guī)避基底信號(hào)。

適用樣品

待測(cè)樣品表面需光滑且平整，檢測(cè)區(qū)域不要有遮擋。長(zhǎng)寬尺寸建議在20*10mm以內(nèi)。

相關(guān)參考標(biāo)準(zhǔn)

JJF 1613-2017 掠入射X射線反射膜厚測(cè)量?jī)x器校準(zhǔn)規(guī)范

GB/T 36655-2018 電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的檢測(cè)方法 XRD法

辦理檢測(cè)報(bào)告的目的

1、評(píng)定產(chǎn)品質(zhì)量的好壞;

2、判斷產(chǎn)品質(zhì)量等級(jí)，即缺陷嚴(yán)重程度;

3、對(duì)工藝流程進(jìn)行檢驗(yàn)和工序質(zhì)量的監(jiān)督;

4.對(duì)質(zhì)量數(shù)據(jù)進(jìn)行搜集統(tǒng)計(jì)與分析，以便為質(zhì)量改進(jìn)與質(zhì)量管理活動(dòng)的開展奠定基礎(chǔ);

檢測(cè)流程

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