單晶XRD檢測(cè)有哪些參考依據(jù)?檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)有哪些?費(fèi)用是多少?百檢檢測(cè)可依據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗(yàn)方案。對(duì)無(wú)機(jī)晶體，有機(jī)晶體以及MOF等樣品進(jìn)行檢測(cè)分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的檢測(cè)報(bào)告。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介

單晶XRD是一種X射線衍射法，通過(guò)對(duì)單晶收集數(shù)據(jù)，解出晶體結(jié)構(gòu)，得到鍵長(zhǎng)，鍵角一系列數(shù)據(jù)。

適用范圍

晶體質(zhì)量好，可測(cè)無(wú)機(jī)晶體，有機(jī)晶體以及MOF。

有機(jī)和MOF類單晶，在送樣時(shí)，應(yīng)放在母液中，一起寄出。

若要解析結(jié)構(gòu)，應(yīng)提供分子式以及結(jié)構(gòu)式。

相關(guān)參考標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 36655-2018 電子封裝用球形二氧化硅微粉中α態(tài)晶體二氧化硅含量的檢測(cè)方法 XRD法

NF B49-422-2-2008 氮化物結(jié)合碳化硅耐火材料的化學(xué)分析.第2部分:X射線衍射(XRD)法.

DIN EN 12698-2-2007 氮化物結(jié)合碳化硅耐火材料的化學(xué)分析.第2部分:X射線衍射(XRD)法

辦理檢測(cè)報(bào)告的目的

1、評(píng)定產(chǎn)品質(zhì)量的好壞;

2、判斷產(chǎn)品質(zhì)量等級(jí)，即缺陷嚴(yán)重程度;

3、對(duì)工藝流程進(jìn)行檢驗(yàn)和工序質(zhì)量的監(jiān)督;

4.對(duì)質(zhì)量數(shù)據(jù)進(jìn)行搜集統(tǒng)計(jì)與分析，以便為質(zhì)量改進(jìn)與質(zhì)量管理活動(dòng)的開(kāi)展奠定基礎(chǔ);

檢測(cè)流程

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