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半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)報(bào)告第三方辦理流程

2023-09-21

半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)需要根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)指定項(xiàng)目、方法進(jìn)行,GB國(guó)標(biāo)、行標(biāo)、外標(biāo)、企標(biāo)、地方標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)是什么?第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)報(bào)告辦理,工程師一對(duì)一服務(wù),根據(jù)需求選擇對(duì)應(yīng)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及項(xiàng)目,制定檢測(cè)方案后安排實(shí)驗(yàn)室寄樣檢測(cè)。半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)服務(wù)

檢測(cè)周期:3-15個(gè)工作日(特殊樣品、項(xiàng)目除外),可加急。

報(bào)告樣式:中英文、電子版、紙質(zhì)版均可。

檢測(cè)費(fèi)用:電議。

半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)項(xiàng)目:

檢測(cè)項(xiàng)目:

導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on)、導(dǎo)通電阻Ron、導(dǎo)通電阻路差ΔRon、截止態(tài)源級(jí)漏電流IS(off)、截止態(tài)漏*漏電流ID(off)、輸入低電平電流IIL、輸入高電平電流IIH、靜態(tài)工作電源電流IDD、關(guān)斷時(shí)間、導(dǎo)通態(tài)漏電流、導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻溫度漂移率、導(dǎo)通電阻路差、導(dǎo)通電阻路差率、開啟時(shí)間、截止態(tài)源*漏電流、截止態(tài)漏*漏電流、電源電流、通道轉(zhuǎn)換時(shí)間、開啟時(shí)間/關(guān)斷時(shí)間、截止態(tài)漏*漏電流/截止態(tài)源*漏電流、功能檢測(cè)、模擬電壓工作范圍、雙向開關(guān)截止電流、導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on)、導(dǎo)通電阻路差△Ron、截止態(tài)漏電流ID(off)、導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on)、導(dǎo)通電阻Ron、導(dǎo)通電阻路差△Ron、截止態(tài)源*漏電流IS(off)、截止態(tài)漏*漏電流ID(off)、輸入低電平電流IIL、輸入高電平電流IIH、靜態(tài)工作電源電流、導(dǎo)通態(tài)漏電流 IDS(on)、導(dǎo)通電阻 RON、導(dǎo)通電阻路差 △RON、截止態(tài)源*漏電流IS(off)、截止態(tài)漏*漏電流ID(off)、輸出低電平電壓 VOL、輸出高電平電壓 VOH、靜態(tài)條件下的電源電流 IDD、導(dǎo)通電阻RON、截止態(tài)源*漏電流IS(OFF)、截止態(tài)漏*漏電流ID(OFF)、邏輯端輸入電流、導(dǎo)通態(tài)漏電流 IDS(on)、導(dǎo)通電阻 RON、截止態(tài)源*漏電流 IS(off)、截止態(tài)漏*漏電流 ID(off)、靜態(tài)條件下的電源電流、導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on)、導(dǎo)通電阻Ron、導(dǎo)通電阻路差△Ron、截止態(tài)源*漏電流IS(off)、截止態(tài)漏*漏電流ID(off)、截止態(tài)源*漏電、導(dǎo)通態(tài)漏*漏電流、電源電流IDD、輸出高電平電壓VOH、輸出低電平電壓VOL、開啟時(shí)間ton、關(guān)斷時(shí)間toff

半導(dǎo)體集成電路(模擬開關(guān))檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):

1、SJ/T 10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路檢測(cè)方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

2、GB/T 14028-2018 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)檢測(cè)方法 5.8

3、GB/T 17574-1998 《半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇》 GB/T 17574-1998

4、GB/T 14028-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)檢測(cè)方法的基本原理 條款2.6

5、GB/T 17940-2000 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 第III篇第6節(jié) 5.1.1

6、GB/T14028-2018 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)檢測(cè)方法 5.6

7、GB/T14028-2018/ 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)檢測(cè)方法的基本原理 5.4

8、GB/T 14028-2018 《半導(dǎo)體集成電路 模擬開關(guān)檢測(cè)方法》 GB/T 14028-2018

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第Ⅳ篇 第2節(jié) 2

10、GB/T 17940-2000 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000

11、SJ/T 10741-2000(CMOS) 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路檢測(cè)方法的基本原理 條款5.15

12、GB/T 14028-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)檢測(cè)方法的基本原理 GB/T 14028-1992

13、SJ/T10741-2000 5.9 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路檢測(cè)方法的基本原理

14、SJ/T10741-2000 5.10 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路檢測(cè)方法的基本原理

15、SJ/T 10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路檢測(cè)方法的基本原理 SJ/T10741-2000

16、GB/T17574-1998 《半導(dǎo)體器件集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路》 第Ⅳ篇 第2節(jié) 1

百檢檢測(cè)流程

1、咨詢工程師,提交檢測(cè)需求。

2、送樣/郵遞樣品。

3、免費(fèi)初檢,進(jìn)行報(bào)價(jià)。

4、簽訂合同和保密協(xié)議。

5、進(jìn)行方案定制、實(shí)驗(yàn)。

6、出具實(shí)驗(yàn)結(jié)果和檢測(cè)報(bào)告。

檢測(cè)報(bào)告作用:

1、項(xiàng)目招投標(biāo):CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告;

2、上線電商平臺(tái)入駐:質(zhì)檢報(bào)告各大電商平臺(tái)認(rèn)可;

3、用作銷售報(bào)告:出具具有法律效應(yīng)的檢測(cè)報(bào)告,讓消費(fèi)者更放心;

4、論文及科研:提供的個(gè)性化檢測(cè)需求;

5、司法服務(wù):提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù);

6、工業(yè)問題診斷:驗(yàn)證工業(yè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)問題排查和修正;

以上文章內(nèi)容為部分列舉,更多檢測(cè)需求及詳情免費(fèi)咨詢機(jī)構(gòu)在線客服,做檢測(cè)上百檢,實(shí)樣檢測(cè),真實(shí)報(bào)告。

檢測(cè)流程

檢測(cè)流程

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。

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