無機(jī)異物分析是指針對產(chǎn)品表面的無機(jī)異物，根據(jù)異物的形態(tài)、檢測深度及檢測面積等差異而選用特定的儀器，對其無機(jī)成分進(jìn)行分析，測定其中元素成分及含量，進(jìn)而分析組成的一種分析方法。相較與有機(jī)異物，無機(jī)異物則表現(xiàn)出質(zhì)地更硬，色澤更深，且較不透光等特點。無機(jī)異物的分析手段主要有以下幾種：

分析手段典型應(yīng)用分析特點參考標(biāo)準(zhǔn)

掃描電子顯微鏡&X射線能譜SEM/EDS表面微觀形貌觀察；微米級尺寸量測；微區(qū)成分分析；污染物分析能快速的對各種試樣的微區(qū)內(nèi)Be——U的大部分元素進(jìn)行定性、定量分析，分析時間短JY/T 010-1996

GB/T 17359-2012

飛行時間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS有機(jī)材料和無機(jī)材料的表面微量分析；表面離子成像；深度剖面分析優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測靈敏度可以檢測到ppm或更低的濃度；深度剖析具有良好的檢測限制和深度辨析率；小面積分析ASTM E1078-2009

ASTM E1504-2011

ASTM E1829-2009

動態(tài)二次離子質(zhì)譜D-SIMS產(chǎn)品表面微小的異物分析；氧化膜厚度分析；摻雜元素的含量測定分析區(qū)域小，能分析≥10μm直徑的異物成分；分析深度淺，可測量≥1nm樣品；檢出限高，一般是ppm-ppb級別ASTM E1078-2009

ASTM E1504-2011

ASTM E1829-2009

俄歇電子能譜AES缺陷分析；顆粒分析；深度剖面分析；薄膜成分分析可以作表面微區(qū)的分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像GB/T 26533-2011

X射線光電子能譜XPS有機(jī)材料、無機(jī)材料、污點、殘留物的表面分析；表面成分及化學(xué)狀態(tài)信息；深度剖面分析分析層薄，分析元素廣，可以分析樣品表面1-12nm的元素和元素含量GB/T 30704-2014

檢測流程

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