電子元器件失效分析有哪些？檢測(cè)費(fèi)用與價(jià)格是多少錢(qián)呢？檢測(cè)時(shí)間需要多久呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)電子元器件失效分析標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案，以滿(mǎn)足您多樣化的需求。

電子元器件失效分析范圍：開(kāi)路、短路、漏電、功能失效等，電子元器件失效分析項(xiàng)目：顯微形貌分析、表面元素分析等，實(shí)驗(yàn)室可根據(jù)GB/T 2689.1-1981、GB/T 7289-2017等相應(yīng)電子元器件失效分析標(biāo)準(zhǔn)為合作伙伴提供分析服務(wù)，檢測(cè)周期：常規(guī)試驗(yàn)3-15個(gè)工作日出具電子元器件失效分析報(bào)告

電子元器件失效分析項(xiàng)目

電測(cè)：連接性檢測(cè)、電參數(shù)檢測(cè)、功能檢測(cè)等;

無(wú)損檢測(cè)：射線檢測(cè)技術(shù)( X 射線、γ 射線、中子射線等)，工業(yè)CT,康普頓背散射成像(CST)技術(shù)，超聲檢測(cè)技術(shù)(穿透法、脈沖反射法、串列法)，紅外熱波檢測(cè)技術(shù)，聲發(fā)射檢測(cè)技術(shù)，渦流檢測(cè)技術(shù)，微波檢測(cè)技術(shù)，激光全息檢驗(yàn)法等

顯微形貌分析：光學(xué)顯微分析技術(shù)、掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)等

表面元素分析：掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)、俄歇電子能譜分析(AES)、X射線光電子能譜分析(XPS)、二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)等

無(wú)損分析技術(shù)：X射線透視技術(shù)、三維透視技術(shù)、反射式掃描聲學(xué)顯微技術(shù)(C-SAM)等

電子元器件失效分析標(biāo)準(zhǔn)

CEI EN 61709-2012 IEC 61709：1996電子元器件 可靠性 失效率的標(biāo)準(zhǔn)條件和轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

DIN EN 61709-1999 電子元器件.可靠性.失效率和轉(zhuǎn)變應(yīng)力模式的參考條件

GB/T 2689.1-1981 恒定應(yīng)力壽命試驗(yàn)和加速壽命試驗(yàn)方法總則

GB/T 7289-2017 電學(xué)元器件 可靠性 失效率的基準(zhǔn)條件和失效率轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

GB/T 21711.7-2018 基礎(chǔ)機(jī)電繼電器 第7部分：試驗(yàn)和測(cè)量程序

QJ 1317A-2005 電子元器件失效分類(lèi)及代碼

QJ 2663-1994 航天電子元器件失效數(shù)據(jù)采集卡及填寫(xiě)規(guī)定

T/CIE 115-2021 電子元器件失效機(jī)理、模式及影響分析(FMMEA)通用方法和程序

優(yōu)勢(shì)

1、擁有嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系與完善的后期服務(wù)

2、檢測(cè)項(xiàng)目覆蓋領(lǐng)域廣泛

3、儀器設(shè)備及其他輔助實(shí)驗(yàn)設(shè)施齊全，持續(xù)加強(qiáng)檢測(cè)研發(fā)實(shí)力。

4、提供可靠的解決方案

5、簽訂保密協(xié)議，注重保護(hù)客戶(hù)隱私。

檢測(cè)流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢(xún)客服。