標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗硅晶體完整性的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向為<111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗。

英文名稱： Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

替代情況： 替代GB/T 1554-1995

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

發(fā)布日期： 2009-10-30

實施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 1979-05-26

提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

檢測流程

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