GB/T 11094-2020.Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method.
1范圍
GB/T 11094規(guī)定了水平法砷化鎵單晶(以下簡稱砷化鎵單晶)及切割片的牌號(hào)及分類、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書和訂貨單(或合同)內(nèi)容。
GB/T 11094適用于光電器件、傳感元件等用的砷化鎵單晶及切割片。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
GB/T 2828.1-2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T 4326非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T 8760砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測量方法
GB/T 13388硅片參 考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法
GB/T 14264半 導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T 14844半導(dǎo)體材料牌 號(hào)表示方法
3術(shù)語和定義
GB/T 14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。
4牌號(hào)及分類
4.1牌號(hào)
砷化鎵單晶及切割片的牌號(hào)按照GB/T 14844的規(guī)定進(jìn)行表示。如有特殊要求,由供需雙方協(xié)商并在訂貨單(或合同)中注明。
4.2分類
4.2.1砷化鎵單 晶按導(dǎo)電類型分為n型和p型。
4.2.2砷化鎵切割片按直徑分為 50.8 mm、63.5 mm、76.2 mm、82.0 mm四種規(guī)格。
5要求
5.1砷化鎵單晶
5.1.1 生長方向
砷化鎵單晶以近<111>B方向或(110)晶帶上由<111>B向最遠(yuǎn)的<100>方向偏轉(zhuǎn)0°~15°生長,由供方工藝保證。如需其他生長方向的砷化鎵單晶由供需雙方協(xié)商確定。

檢測流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。