標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 24581-2009低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的檢測(cè)方法

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。本標(biāo)準(zhǔn)所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。

英文名稱： Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

采標(biāo)情況： IDT SEMI MF 1630-0704

發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期： 2009-10-30

實(shí)施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 2009-10-30

提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

檢測(cè)流程

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