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GB/T17886.2-1999標(biāo)稱電壓1kV及以下交流電力系統(tǒng)用非自愈式并聯(lián)電容器第2部分:老化試驗(yàn)和破壞試驗(yàn)

2024-11-19

標(biāo)準(zhǔn)簡介:本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合GB/T 17886.1的電容器,并規(guī)定了這些電容器老化試驗(yàn)和破壞試驗(yàn)的要求。

標(biāo)準(zhǔn)號:GB/T 17886.2-1999

標(biāo)準(zhǔn)名稱:標(biāo)稱電壓1kV及以下交流電力系統(tǒng)用非自愈式并聯(lián)電容器 第2部分:老化試驗(yàn)和破壞試驗(yàn)

英文名稱:Shunt power capacitors of the non-self-healing type for a.c.systems having a rated voltage up to and including 1 kV --Part 2:Ageing test and destruction test

標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:1999-10-10

實(shí)施日期:2000-05-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(CCS):電工>>輸變電設(shè)備>>K42電力電容器

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(ICS):電子學(xué)>>電容器>>31.060.70電力電容器

起草單位:西安電力電容器研究所

歸口單位:全國電力電容器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

發(fā)布單位:國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局

檢測流程

檢測流程

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GB/T21227-2007交流損耗測量Cu/Nb-Ti多絲復(fù)合線磁滯損耗的磁強(qiáng)計測量法
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