標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：在晶體中，由于缺陷處的勢(shì)能較高，在缺陷處的腐蝕速率較大，在適當(dāng)?shù)母g劑中，當(dāng)缺陷處的腐蝕速率遠(yuǎn)高于完整晶面的腐蝕速率時(shí)，在缺陷處就會(huì)形成位錯(cuò)蝕坑和其他斑痕，在金相顯微鏡下可以觀測(cè)多種缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB 11297.6-1989

標(biāo)準(zhǔn)名稱：銻化銦單晶位錯(cuò)蝕坑的腐蝕顯示及測(cè)量方法

英文名稱：Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal

標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：強(qiáng)制性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：1988-10-09

實(shí)施日期：1990-01-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：電子元器件與信息技術(shù)>>電子設(shè)備專用材料、零件、結(jié)構(gòu)件>>L90電子技術(shù)專用材料

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：29.040.30

起草單位：機(jī)械電子工業(yè)部第十一研究所

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位：機(jī)械電子工業(yè)部

檢測(cè)流程

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