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GB/T5238-2009E鍺單晶和鍺單晶片(英文版)

2024-12-09

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶和鍺單晶片的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于制作半導(dǎo)體器件、激光、外延襯底等用的鍺單晶和鍺單晶片。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 5238-2009E

標(biāo)準(zhǔn)名稱:鍺單晶和鍺單晶片(英文版)

英文名稱:Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):作廢

發(fā)布日期:2009-10-30

實(shí)施日期:2010-06-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>有色金屬及其合金產(chǎn)品>>H66稀有分散金屬及其合金

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):冶金>>有色金屬>>77.120.99其他有色金屬及其合金

替代以下標(biāo)準(zhǔn):被GB/T 5238-2019代替;替代GB/T 15713-1995;GB/T 5238-1995

歸口單位:National Semi-conductor Equipmen

發(fā)布單位:General Ad.

檢測(cè)流程

檢測(cè)流程

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。

GB/T5252-2006鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法
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