GB/T31470-2015俄歇電子能譜與X
2024-12-02
標(biāo)準(zhǔn)簡介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于線寬180nm、130nm 和90nm 工藝退火硅片。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 26069-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱:硅退火片規(guī)范
英文名稱:Specification for silicon annealed wafers
標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
發(fā)布日期:2011-01-10
實(shí)施日期:2011-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn):被GB/T 26069-2022代替
起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司、有研半導(dǎo)體材料股份公司、寧波立立電子股份有限公司和杭州海納半導(dǎo)體有限公司
歸口單位:全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/T
發(fā)布單位:國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。