標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅錠和經(jīng)過(guò)拋光處理的N型或P型硅片（當(dāng)硅片厚度大于1mm時(shí)，通常稱為硅塊）載流子復(fù)合壽命的測(cè)試。在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試切割或經(jīng)過(guò)研磨、腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命。通常，被測(cè)樣品的室溫電阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之間，由檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復(fù)合壽命的測(cè)試范圍為大于0.1.s，可測(cè)的最短壽命值取決于光源的關(guān)斷特性及衰減信號(hào)測(cè)定器的采樣頻率，最長(zhǎng)可測(cè)值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26068-2018

標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

英文名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2018-12-28

實(shí)施日期：2019-11-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)

替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 26068-2010

起草單位：有研半導(dǎo)體材料有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院、浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心、廣州市昆德科技有限公司、江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司、北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.

檢測(cè)流程

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