標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件制備中用作檢驗(yàn)和工藝控制的硅單晶試驗(yàn)片的技術(shù)要求。本標(biāo)準(zhǔn)涵蓋尺寸規(guī)格、結(jié)晶取向及表面缺陷等特性要求。本標(biāo)準(zhǔn)涉及了50.8mm~300mm 所有標(biāo)準(zhǔn)直徑的硅拋光試驗(yàn)片技術(shù)要求。對(duì)于更高要求的硅單晶拋光片規(guī)格,如:顆粒測(cè)試硅片、光刻分辨率試驗(yàn)用硅片以及金屬離子監(jiān)控片等,參見(jiàn)SEMI24《硅單晶優(yōu)質(zhì)拋光片規(guī)范》。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26065-2010

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范

英文名稱(chēng)：Specification for polished test silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2011-01-10

實(shí)施日期：2011-10-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

起草單位：寧波立立電子股份有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/T

發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

檢測(cè)流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢(xún)客服。