檢測(cè)內(nèi)容

檢測(cè)樣品

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、柵極耦合場(chǎng)效應(yīng)管、金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、硅基場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管、P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管、雙極溝道型場(chǎng)效應(yīng)管、增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管、耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管、晶體管封裝形式場(chǎng)效應(yīng)管、芯片級(jí)封裝形式場(chǎng)效應(yīng)管、功率MOSFET、小信號(hào)MOSFET、CMOS等。

檢測(cè)項(xiàng)目

導(dǎo)通電阻檢測(cè)、漏電流檢測(cè)、絕緣電阻檢測(cè)、放大系數(shù)檢測(cè)、噪聲系數(shù)檢測(cè)、頻率響應(yīng)檢測(cè)、電壓放大系數(shù)檢測(cè)、電流放大系數(shù)檢測(cè)、靜態(tài)工作點(diǎn)檢測(cè)、反向擊穿電壓檢測(cè)、柵源漏電流檢測(cè)、輸入電容檢測(cè)、輸出電容檢測(cè)、轉(zhuǎn)移電導(dǎo)檢測(cè)、穩(wěn)態(tài)輸出電壓波形檢測(cè)、穩(wěn)態(tài)輸出電流波形檢測(cè)、動(dòng)態(tài)特性檢測(cè)、溫度特性檢測(cè)、工作壽命檢測(cè)、引腳間絕緣檢測(cè)等。

檢測(cè)周期

參考標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范

NF C80-203-2010 半導(dǎo)體器件.金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)移動(dòng)離子試驗(yàn)

BS QC 720104-1997 電子元件的質(zhì)量評(píng)定協(xié)調(diào)體系.半導(dǎo)體裝置.光電子裝置.光纖維系統(tǒng)或分系統(tǒng)用帶/不帶引線的場(chǎng)效應(yīng)管管腳組件額空白詳細(xì)規(guī)格

DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 單片硅輻射硬化數(shù)字非線性微電路互補(bǔ)開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)器

IEC 62417:2010 半導(dǎo)體器件.金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)移動(dòng)離子試驗(yàn)

JEDEC JEP69-B-1973 場(chǎng)效應(yīng)管用優(yōu)先引腳外形

IEC 62373:2006 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的基本溫度穩(wěn)定性試驗(yàn)

檢測(cè)時(shí)間周期

一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)項(xiàng)目而定。

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。

檢測(cè)流程

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